【集微咨询】新基建风口下第三代半导体的发展趋势和投资机会；海沧半导体产业基地计划年底开园；万年芯5亿元三期项目签约落户江西上饶
1、集微咨询：新基建风口下第三代半导体的发展趋势和投资机会
2、做强三代半导体、抢滩四代半导体，山西“十四五”新技术规划发布
3、海沧半导体产业基地计划年底开园，打造国内首个规模集成电路中试厂房园区
4、涉及光器件、通信等领域，灿光光电、锐科激光等重大项目同日开工
5、广东东源180亿元高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业基地项目签约
6、万年芯5亿元三期项目签约落户江西上饶
1、集微咨询：新基建风口下第三代半导体的发展趋势和投资机会
集微网消息，6月10日，爱集微“后摩尔时代下第三代半导体的技术趋势”论坛在上海张江高科正式举行。集微咨询高级分析师陈跃楠发表了以《新基建风口下，第三代半导体的发展趋势和投资机会》为主题的演讲。
近两年，我国已经在多个场合明确提出要加快“新基建”的发展步伐。迈入2020年后，我国“新基建”前所未有的进入到高层布局之中，国务院常务会议、中央政治局会议等中央会议多次提出了要加强“新基建”建设。
陈跃楠指出，当前，“新基建”立足于高新科技的基础设施建设，主要涉及信息基础建设、创新基础建设、融合基础建设三方面内容，目前zui受关注的新基建七大领域包括了5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市、轨道交通新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等。
那么“新基建”与第三代半导体又有怎样的联系呢？据陈跃楠介绍，“新基建”离不开第三代半导体，5G基站中的GaN射频PA器件，新能源汽车充电桩、特高压、轨道交通中的SiC功率器件都属于第三代半导体。
在5G基站方面，当下，世界多国均在积极发展建设5G，而GaN射频器件已成为5G时代较大基站功率放大器的候选技术。
在新能源汽车充电桩方面，自2011年起，新能源汽车充电桩就一直处在快速建设的阶段。截至2019年底，美国和欧盟分别约有7.5万个和16.9万个公共充电桩。由于SiC模块可以实现以很小的体积满足功率上的“严苛”要求，因此SiC功率器件在充电桩中充电模块中的渗透率不断增大。
在特高压方面，中国特高压建设逐渐出口全球。SiC器件可以替代LCC中使用的Si基晶闸管，SiC MOS可以替代VSC中使用的IGBT。
而在轨道交通方面，全球城际高速铁路和城市轨道交通仍处于持续扩张的发展阶段。将SiC器件应用于轨道交通牵引变流器，能极大程度地发挥SiC器件高温、高频和低损耗的特点，有利于推动牵引变流器装置的小型化和轻量化发展，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。
前景广阔，我国第三代半导体未来可期
近几年，第三代半导体作为热门产业之一，英飞凌、意法半导体、CREE等国际大厂也接连布局。
大厂的布局也显示了第三代半导体的发展潜力，在5G、新能源汽车、绿色照明、快充等新兴领域蓬勃发展及国家政策大力扶持的双重驱动力下，2019年，我国第三代半导体衬底材料、器件市场规模分别达到7.86亿元、86.29亿元，同比增长31.7%、99.7%，预计到2022年将分别达15.21亿元、608.21亿元。
陈跃楠透露，未来三年，SiC材料将成为大功率高频功率半导体器件MOSFET的基础材料，被广泛用于交流电机、变频器、照明电路、牵引传动领域。预计到2022年SiC衬底市场规模将达到9.54亿元。
他表示，“未来随着5G商用的扩大，现行厂商将进一步由原先4G设备更新至5G基础建设，5G基地台的布建密度将更甚4G，而基地台内部使用的材料为GaN材料，预计到2022年GaN衬底市场规模将达到5.67亿元。”
在此基础上，陈跃楠分析了我国第三代半导体企业分布与投资分布。
当前，我国第三代半导体企业分布呈现出明显的产业集聚效应。从2015年下半年至 2019年底，已披露的第三代半导体项目投资总额来看，五大区域（西北暂无）的投资额占比来看华东占比zui大，为56%；中南第2；华北第三；东北第四；西南占比zui小，仅为6%。
他进一步分析第三代半导体企业分布情况，指出，京津冀地区研发实力全国zui强，并且具有较强的SiC研究基础和产业链基础；长三角地区主要以GaN为主，侧重电力电子和微波射频领域，其中上海、江苏等地已将第三代半导体作为重点发展方向之一；珠三角地区在半导体照明领域全国领先，是我国第三代半导体产业的南方基地，拥有“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”；闽三角地区拥有以三安光电为代表的第三代半导体龙头企业，有效带动了上游企业的发展；中部地区已经涌现出一批第三代半导体企业。
此外，他还提到了碳化硅和氮化镓产业链的主要国内厂商。
SiC和GaN产业链分为上中下游三个环节：上游包括衬底和外延片的制备；中游环节包括芯片、器件或模块的设计、制造和封测；下游环节则是终端应用.
SiC器件或模块主要应用在电力电子领域。国内SiC材料的衬底制备主要是天科合达、山东天岳、河北同光等；SiC外延材料生产企业包括瀚天天成和东莞天域等；中游企业设计、制造企业有中车时代电气、中电科55所、泰科天润、上海瀚薪、瞻芯电子、基本半导体等。
GaN产业链下游的应用环节比SiC覆盖面更广，包含电力电子、射频以及光电子三大方面。国内GaN衬底的企业主要有苏州纳维、中镓半导体、上海镓特等；电力电子和射频器件的GaN外延材料生产企业主要是苏州晶湛半导体等；GaN电力电子器件和射频器件的企业都是主要以IDM模式为主，电力电子器件IDM代表企业有英诺赛科，射频器件IDM企业主要有苏州能讯、四川益丰等，代工企业中zui突出的是三安集成。而在光电子领域，老牌领头企业如三安光电、华灿光电等也在积极拓展GaN光电器件产业链，从GaN外延材料到设计制造环节都有涉猎。
与此同时，传统半导体企业依托资金、技术、渠道以及商业模式的优势，也在积极布局第三代半导体，代表企业有华润微、闻泰科技、斯达半导体、比亚迪、赛微电子、露笑科技、新洁能等。
机遇与挑战并存，我国第三代半导体产业如何发展
目前，由于国内企业相对弱小抗风险能力较差，同时应用市场推进缓慢，市场需求可能不及预期，国内第三代半导体仍需要面临挑战。
但第三代半导体作为未来的潜力赛道，他强调，需要把握“新基建”带来的新机遇。
我国第三代半导体主要处于成长期，仍需要大规模资金投入、政策扶持，应加大GaN、SiC大尺寸单晶衬底研发，大尺寸单晶衬底的量产有助于降低器件成本、提高第三代半导体市场渗透率。
同时，第三代半导体产业布局也在逐渐形成，各地政府为了推动我国第三代半导体材料产业快速发展，成立了一批创新中心，以应用为牵引，以产业化需求为导向，加大科技创新，加强科技成果转化，抓住产业技术核心环节、推动产业上下游产业协同发展。
而且，目前疫情防控工作仍然“任重道远”，可用于杀菌消毒的AlGaN紫外LED引发关注，加大研发投入和政策资金扶持，将AlGaN紫外LED导入市场。
陈跃楠指出，我国第三代半导体发展已进入壮大期，应该借助资本力量，推动产业升级。只有这样，在2025年，我国第三代半导体产业才能迎来独立期，引领市场。
zui后，陈跃楠介绍了集微网的产业咨询服务，他表示，集微咨询体系覆盖半导体产品、半导体产业链、终端应用，提供年度报告、月度、季度监测、出版物三大常规产品以及市场分析和预测、企业品牌推广、产业政策解读、投资决策支撑等七大定制业务。
集微咨询的主要服务类型包括政府规划及产业研究项目、投融资辅助项目、企业发展战略类项目、市场调研及数据监测项目、会议论坛类项目。
2、做强三代半导体、抢滩四代半导体，山西“十四五”新技术规划发布
集微网消息， 6月10日，山西省政府新闻***举行山西省“十四五”规划各专项规划系列解读新闻发布会的第五场发布会，发布《山西省“十四五”新技术规划》（以下简称《规划》）, 山西省科技厅副厅长张克军、中国电子科技集团公司第二研究所研究员张彩云等解读内容并回答记者问题。
张克军介绍到，《规划》主体围绕信创、大数据、半导体、碳基新材料等“14+N”个重点产业和领域，通过分析产业区域分布、产业链延伸路径、技术发展路线，从而明确新技术突破重点方向，形成推进新技术创新的体系化布局，针对基础研究、应用研究、成果转化3个关键环节进行攻关的一体化设计、创新要素一体化配置、产学研一体化部署。
据悉，《规划》重点从加快现有成熟新技术产业化；大力推动研发阶段的新技术进入小试、中试；加大科研攻坚阶段的新技术研发力度；结合山西实际凝练立项一批重点新技术课题；推动更多新技术落地山西；依托核心龙头企业发展一批新技术；依托重大创新平台催生一批新技术七大方面发力。
在加快现有成熟新技术产业化方面，山西将围绕信创领域、半导体领域等成熟新技术，加强产业化应用研究，加快配套资源要素，加速推动新技术转变为现实生产力，助力产业高质量高速度发展。
在加大科研攻坚阶段的新技术研发力度方面，山西将围绕量子科技、碳基新材料等处于攻坚阶段的新技术，加大科研要素保障力度，强化应用导向，加快推动量子通信、量子计算、引力波、薄膜电子器件等科研项目研发进度，力争早日实现技术突破，为我省产业换道领跑奠定技术基础。
此外，山西还将围绕产业链部署创新链，通过引进技术，依托核心龙头企业发展一批新技术。比如，围绕信息存储产业链，依托大地紫晶公司全力突破新一代全息光存储等关键技术等。
会上，根据黄河新闻网记者提出的“山西省‘十四五’新技术规划是如何推动半导体产业技术创新发展？”的问题，中国电子科技集团公司第二研究所研究员张彩云表示，“十四五”期间，山西省更要抓住半导体产业大发展机遇，坚持非均衡创新驱动发展战略，按照“面向国际前沿、融入国家战略、支撑山西省转型发展”三个维度，做大二代半导体、做强三代半导体、抢滩四代半导体，规划了半导体产业“9-3-20”发展布局。
“9个创新平台”：在国防科技工业微组装技术创新中心、电子动态测试技术国防科技重点实验室等省部级半导体技术创新平台基础上，着力打造半导体器件与系统山西实验室、碳基薄膜电子研究院等9个国内一流的半导体产业高端创新平台，力争在半导体领域实现“卡脖子”技术突破和弯道超车。
“3大技术领域”：在现有国际领先SiC单晶材料制备技术、国内领先半导体封装关键设备研发技术基础上，持续开展半导体新材料、芯片及器件、半导体制造装备3大领域关键核心技术攻关，重点布局三代半导体材料、碳电子材料等产业技术领域，加快形成一批重大科研成果。
“20个人才团队”：积聚国内外科技创新资源，组建光刻机用激光器、量子光学与光量子器件等20个半导体产业高水平人才团队，打造有世界影响力的半导体产业战略科技力量。
到2025年，力争举全省之力，创建半导体产业一流生态环境，提升全产业链创新能力和核心竞争力。重点建设中国电科（山西）电子信息产业园、忻州市半导体产业园等产业基地，发挥龙头企业的引领作用，占据半导体技术中高端，成为半导体产业链关键环，打造山西品牌，助力山西进入半导体技术创新领域的国家级领先方队。
3、海沧半导体产业基地计划年底开园，打造国内首个规模集成电路中试厂房园区
集微网消息，去年12月28日，海沧半导体产业基地正式封顶，近日，该项目传来了zui新动态。
据海沧区融媒体中心消息，海沧半导体产业基地计划2021年底正式开园，打造国内首个成规模的集成电路中试厂房园区，建成后将成为匹配和支撑海沧集成电路可持续发展的重要载体。
今年4月19日，厦门发改委对外发布一季度厦门省重点在建项目完成情况，透露海沧半导体产业基地等项目的新进展。当时信息透露，海沧半导体产业基地项目已完成6栋中试厂房、1栋废水处理站主体结构封顶，研发楼开始地下室施工。
2021年1-5月份，厦门海沧集成电路产业总营收规模17.2亿元。其中8家规上集成电路企业实现产值3.6亿，同比增长382.9%。
作为海沧集成电路产业的重要载体，海沧集成电路产业园发挥其独有的产业集聚优势，助力厦门集成电路产业进一步发展。
海沧信息产业公司总经理张洪飞表示，2020年以来，前期布局的一批重点龙头制造项目已陆续投产，园区设计企业不断崭露头角，进入良性发展轨道。2020年产值规模突破8亿元，比增460%；2021年园区企业总营收预计将进一步提升至40-50亿元，实现爆发式增长。
4、涉及光器件、通信等领域，灿光光电、锐科激光等重大项目同日开工
集微网消息，6月10日，湖北东湖科学城及重大科技项目集中开工活动举行。
据介绍，东湖科学城位于武汉东湖高新区东部，确定规划范围100平方公里，统筹范围160平方公里，拓展范围260平方公里，横向依托光谷科技创新大走廊所在的高新大道，纵向依托“光芯屏端网”万亿产业集群聚集的未来大道。
此次集体开工的5个重大科技项目主要依托华中科技大学、中船重工722研究所等高校和科研院所，聚焦前瞻性科技问题，定位国际领先水平，建成后将促进生物医学、通信系统等多领域的技术攻关与产业发展。其中，包括武汉灿光光电有限公司总部研发基地、武汉锐科光纤激光技术股份有限公司二期项目、中国船舶通信与电子信息技术研发基地等。
武汉灿光光电有限公司总部研发基地总投资10亿元，用地面积约为80亩，总建筑面积12万方。公司是一家集研发、生产、经营、服务于一体的光电子制造高新技术企业。项目建成后将成为国内重要的光器件产品生产基地之一。
武汉锐科光纤激光技术股份有限公司二期项目总投资10亿元，用地面积230亩，建筑面积约18万方。主要开展中高功率半导体激光器产业化及研发与应用工程中心基建建设工作。
中国船舶通信与电子信息技术研发基地总投资9.57亿元，净用地约145亩，将建设通信与信息系统研发中心、信息安全与软件研发中心、特种天线技术研发中心、能源装备研发中心、试验******中心等研究平台，进行军民两用成果转化，并为国内企业提供环境试验、元器件、单元和系统环境应力筛选、电磁兼容试验、交付性试验、综合可靠性鉴定与验收试验等服务。项目建成后将成为世界一流的海洋防务装备、运输装备、开发装备和科考装备通信系统研发制造基地。
5、广东东源180亿元高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业基地项目签约
集微网消息，6月10日，与华润水泥控股有限公司举行高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业基地项目合作框架协议签约仪式。
东源发布消息显示，该项目计划总投资180亿元，一期计划投资100亿元，二期计划投资30亿元，三期计划投资50亿元。全部建成达产后，预计年产值200亿元，预计年上缴税收30亿元。
据悉，该项目主要面向光伏玻璃砂、高纯石英、碳化硅、单晶硅、石英玻璃、电子玻璃和芯片等高端硅基材料，将有力解决我国半导体、光通讯、光电源和芯片高纯硅基材料卡脖子问题。
6、万年芯5亿元三期项目签约落户江西上饶
集微网消息，近日，江西省上饶市万年县人民政府与江西万年芯微电子有限公司（以下简称“万年芯”）三期项目签约仪式举行。
据悉，万年芯三期建设项目总投资约5亿元，三期建成后，整体项目投资将达到20亿元。项目内容包括建设气压传感器、温湿度传感器、硅麦等声学产品，先进封装产品QFN/BGA/LGA、SiP等产品，建立自主品牌产品线日，万年芯项目举行开工仪式。据当时江西省万年县招商局消息显示，项目建成投产后，可年生产100亿支半导体集成电路芯片。
江西万年芯成立于2017年3月，其官网消息显示，公司主要从事4-12英寸半导体集成电路的封装测试、大容量闪存芯片的封装测试、传感器类产品的研发制造。
